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SiE804DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
5
0
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
0
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
0.045
0.040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
4000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.035
0.030
V GS = 6 V
V GS = 10 V
3000
C iss
2000
0.025
0.020
0.015
1000
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 7.6 A
8
6
V DS = 75 V
V DS = 120 V
4
2
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 7.6 A
V GS = 6 V; 10 V
0
20
40
60
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69091
S09-0143-Rev. A, 02-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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